美法院突然对福建晋华前高管发逮捕令

据财联社消息，虽然台湾地域法院已经做出刑事讯断，但美国方面仍不依不饶，美国当地时间周三（6月24日）美国旧金山联邦地要领院对三名被控窃取美国技能的职员发出逮捕令。

据外媒报导，旧金山联邦地要领院在审理美光诉台联电、福建晋华等窃取美光技能一案中，应美方检察官要求，对福建晋华前总司理陈正坤及两名从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永铭发出逮捕令。

逮捕令中的三位涉案人主要涉及美光案。此案最早可追溯至联电与福建晋华的互助。早在2017年，美光在台湾控诉联电，指控从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM商业秘密，后续美光称联电通过美光台湾地域员工窃取其知识产权。

台联电与福建晋华一直对此案举行无罪辩护。而这三位涉案人并未出现在其时的美国庭审中，由于他们正在台湾接受观察，其中的两位近期已被台湾法院宣判入刑。

台中法院6月12日对于美光起诉联电窃取商业机密一案举行了宣判：何建廷被判刑5年6个月，罚金500万新台币；王永铭被判4年6个月，罚金400万新台币；台联电协理戎乐天判刑6年6个月，罚金600万新台币；联电被判处罚金1亿新台币(约合人民币2390万元)。联电其时曾表示，将会提起上诉。而台联电前副总陈正坤仍在接受观察中。

台湾地域与美国没有签署引渡协议。

2016年2月，福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等配合出资，建立了DRAM芯片制造企业福建晋华电子。详细是由福建晋华出资，委托联电开发 DRAM 相干技能。

2017年9月，美光在台湾控诉台联电，指控从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM商业秘密，涉嫌将美光DRAM技能走漏给联电，帮助联电开发32nm DRAM。之后，在外方压力下，台联电撤出了福建晋华项目。

2018年10月30日，美国商务部以国度宁静为由，将福建晋华列入出口管束“实体清单”，克日起对晋华实行出口管束。

美光是全球第三大内存芯片厂，与韩国的三星、海力士齐名，中国市场为美光最为紧张的海外市场。美光在中国上海拥有一家研发中心，并在西安建有工场，卖力测试和封装业务。